应用OPC提升0.11μm SRAM良率

摘要：

SRAM作为高速缓存,应用广泛,是逻辑工艺指标性IP,相同良率的情况下,SRAM面积的大小对工艺竞争力影响很大.公司为了提升竞争力,将SRAM面积从1.52μ m2缩小到1.26μ m2.本文通过使用OPC特殊修正,将1.26 μm2SRAM的良率从20％提升到了 70％.

关键词：OPC、SRAM、高速缓存、逻辑工艺、IP、良率、0.11 μm工艺平台

所属期刊栏目：32

分类号：TP333;F260;F592.3

在线出版日期：2023-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：72-77