一种DC～10GHz的低附加相移高衰减精度的开关型衰减器

摘要：

本文设计了一种DC～10GHz的带有低附加相移以及高衰减精度的6位开关型衰减器.分析了三种传统的开关型的T型、简化T型以及П型衰减器的拓扑结构[1],通过在П型衰减器的结构中采用电感和电容补偿技术,实现在超宽带范围内的低附加相移[2].该基于55-nm CMOS工艺的6位衰减器,芯片核心版图面积为0.05mm2,仿真结果表明,该衰减器在DC～10GHz频段范围内的插入损耗为3dB～4.3dB,64态的回波损耗均小于10.6dB,衰减误差的均方根值小于0.18dB,64态的衰减附加相移小于2.5度,衰减器在5GHz时处于参考态下的1dB压缩点对应的输入功率为7.7dBm.

关键词：衰减器、相控阵、CMOS、开关型、相位补偿、低插入损耗

所属期刊栏目：32

分类号：TN715;TN929.11;TN402

在线出版日期：2023-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54