双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究

摘要：

基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护.利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了 PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响.测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到 15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因.

关键词：双向可控硅(DDSCR)、失效电流(It2)、维持电压(Vh)、传输线脉冲测试系统(TLP)

所属期刊栏目：32

分类号：TN406;TN303;TN710-34

资助基金：湖南省教育厅优秀青年基金项目;湖南省研究生科研创新项目

在线出版日期：2023-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-39,72