一种带有曲率补偿的高电源抑制带隙基准电路设计

摘要：

本文基于标准SMIC 65nm工艺,设计了一款输入电压为2.5V,输出电压为1.217V的带隙基准电路.本文首先介绍了传统的带隙基准电路工作原理,在此基础上提出电路采用工作在亚阈值区域MOSFET的曲率校正方法,实现低温漂,提出PSRR增强电路获得高PSRR特性.由仿真结果可看出,在不同工艺角温度从-55℃～125℃变化,基准电压源输出电压变化范围大约在2～4.5Mv,温度系数变化较小,并且该带隙基准电路在低频12HZ时的电源抑制比为-112.8dB.

关键词：带隙基准电压源、电源抑制比、曲率补偿、温度系数

所属期刊栏目：32

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金62174149

在线出版日期：2023-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：54-58,77