氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究

摘要：

封装贴片所用烧结银胶中的银元素有可能在高温高湿度条件下转化为离子并在高电场作用下沿芯片表面迁移从而导致器件电极间漏电甚至短路.本研究工作采用高加速应力实验(HAST)作为加速检验手段,通过对失效样品的物理分析,首先确认了银迁移是引起所观察到失效的根源.器件表面电场模拟结果显示,引入适当的环形屏蔽电极可以有效降低关键区域的电场强度.实验结果证实采用了带有优化设计屏蔽电极芯片的产品其芯片表面的银迁移现象得到了充分抑制,极大提高了采用烧结银胶贴片工艺生产的氮化镓器件的可靠性(栅漏电异常比例由48％降为0％),使其达到满足实际工业应用的水平.

关键词：氮化镓、器件芯片、烧结银胶、银迁移

所属期刊栏目：31

分类号：R735.7;R285.5;TN911.7

资助基金：国家重点研发计划2021YFB3602400

在线出版日期：2022-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：55-60