高温半导体技术助力碳化硅性能发挥极致

摘要：

用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率;更为重要的进步,将是充分发挥碳化硅的基础性能优势,从而能够实现原本IGBT难以实现或根本不能做到的应用,为系统应用设计者提供全新的拓展空间.这特别反映在两个重要方面:其一,高功率密度应用,其所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二,高温环境应用,通常是指没有液冷条件的应用,更加考验器件本身的耐温能力及其高温寿命.

机标关键词：半导体技术、碳化硅、技术助力

所属期刊栏目：31

分类号：TN301;TQ163.4;G434

在线出版日期：2022-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：31-36