P 型 SiGe Core-shell FinFET 器件性能的仿真研究

摘要：

随着传统的平面金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸逐渐缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱.而非传统的多栅结构器件对电荷有很好的控制能力,改善因等比例缩小所引起的各种效应.本文基于GTS TCAD仿真软件,对SiGe Core-shell FinFET器件的内外层沟道Six Ge1-x组分配比进行仿真.仿真结果表明,当inner Ge组分为0,outer Ge组分为0.5时,器件性能获得最大收益,并将SiGe Core-shell FinFET器件与Si-FinFET、Ge-FinFET器件进行比较.研究结果表明,SiGe Core-shell FinFET器件Idsat相比于Si-FinFET有2.3倍的提升,亚阈值摆幅(Subthreshold swing,SS)大约有 30mV/dec 的下降.

关键词：FinFET、SiGe、Core-Shell、饱和电流、空穴浓度

所属期刊栏目：31

分类号：TN386;TN432;TP3

在线出版日期：2022-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：33-37,53