埋沟型源跟随晶体管对噪声的优化研究

摘要：

噪声问题是影响CMOS图像传感器图像的最主要问题之一,随着集成电路制造工艺技术的发展和不断进步,源极跟随器(SF)晶体管的栅极面积持续缩小会导致RTS噪声恶化.本文介绍了 一种采用掩埋沟道工艺的CMOS图像传感器,通过对掩埋沟道工艺优化,可以使像素的随机电报信号噪声大幅降低30％以上,大幅提高了图像传感器的信噪比.

关键词：CMOS图像传感器、掩埋沟道、随机电报噪声、信噪比

所属期刊栏目：30

分类号：TN386;TN402;TP212

在线出版日期：2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-53,83