SGT MOSFET的研究与进展

摘要：

介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点.

关键词：屏蔽栅沟槽功率MOSFET、BV、RSP、FOM、SGT、功率器件

所属期刊栏目：30

在线出版日期：2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：36-42,57