SRAM单元SEUR脉冲宽度缩减的工艺优化方法研究

摘要：

集成电路中电荷共享效应引起的多节点电荷收集在当前成为集成电路发生软错误的主要原因,然而在存储单元如SRAM中可以通过晶体管布局利用电荷共享效应将SRAM单元发生的单粒子翻转效应进行恢复.本文基于三维器件物理仿真软件对65 nm体硅CMOS工艺SRAM单元进行混合仿真,通过调节工艺参数和晶体管布局的方法研究了SRAM单元单粒子翻转恢复(SEUR)效应的特性.研究结果表明,将PMOS晶体管布局在靠近P阱/N阱边界处的位置和增加N阱深度可以减少N阱中空穴的排出量,进而提升N阱电势,抑制了器件内部的寄生双极效应,最终缩减了SRAM单元的SEUR脉冲宽度,降低了SRAM单元发生单粒子翻转的概率.该研究结果对集成电路存储单元抗辐射加固具有一定的指导意义.

关键词：单粒子翻转、单粒子翻转恢复、抗辐射加固、版图、阱结构

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在线出版日期：2020-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：54-59