期刊专题

10.3969/j.issn.1681-5289.2019.10.014

一种低K工艺产品分层问题的解决方案

引用
随着半导体工艺的不断进步,芯片线宽越来越小,RC延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性因素.低K工艺技术的出现虽然解决了RC延迟问题,但它为后续的封装工艺却带来以下问题:即由于材料本身的特性(与金属层较弱的粘结力,较弱的机械强度),如果采用金刚石双刀切割工艺,很容易在金属层与内层介电层(Inner layer dielectric,ILD)层之间产生分层或剥离的现象.所以,探索新的晶圆切割方法对低K工艺技术的引入显得越来越重要.本文介绍一种低K工艺产品分层问题的解决方案.

低K工艺、晶圆切割、分层、激光减划

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2019-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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中国集成电路

1681-5289

11-5209/TN

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2019,28(10)

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