改善晶圆边缘有效芯片缺陷的新焦距补偿方法研究

摘要：

良率(yield)是反应集成电路产品成品率的一项关键参数,在实际生产中由于晶圆边缘的平整度等与晶圆中心存在很大的差异,导致晶圆边缘有效芯片(die)的良率很容易受多种因素的影响,造成良率损失,因此提高晶圆边缘有效die的良率是光刻工艺的一个研究重点.本文通过对比分析正常和异常die中对聚焦值(focus)变化影响较敏感的光阻稀疏沟槽图形(ISO trench image)差异,在明确了散焦(defocus)程度和产生原因的前提下,提出了一种新的结合晶圆载物台倾斜(wafer stage tilt)加上曝光区域(shot)聚焦值调整来补正晶圆边缘有效die聚焦值的方法.新方法与旧方法相比,对同一shot内其他die的影响明显降低,有显著的使用优势.从新方法的补正结果来看,较好的解决了晶圆边缘有效die的defocus问题,避免了缺陷的产生.

关键词：晶圆边缘、散焦缺陷、新焦距补偿方法、载物台倾斜

所属期刊栏目：28

在线出版日期：2019-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：60-63,66