铜引线框架氧化对集成电路分层的影响浅析

摘要：

本文简述了集成电路引线框架的特性, 分析了铜表面氧化的机理, 研究了铜表面氧化对集成电路分层可靠性的影响.阐述了铜引线框架氧化时间与氧化层厚度、剪切强度之间的关系, 在此基础上说明了控制氧化时间对Cu/EMC界面剪切强度的影响.

关键词：引线框架、氧化、分层

所属期刊栏目：28

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：76-80