多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法

摘要：

本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法, 将硅片部分区域转化成多孔硅, 通过常规单晶硅外延工艺, 使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构.该制造方法除电化学腐蚀工艺外, 完全与CMOS工艺方法兼容, 具有成本低, 良率高, 膜厚均匀等优势, 是一种较为理想的空腔薄膜制作方法.

关键词：多孔硅电化学腐蚀、N-网格层、TMAH、空腔薄膜

所属期刊栏目：28

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：70-75