一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计

摘要：

针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题, 提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路, 根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系, 产生一个与热力学温度平方成正比的补偿电流, 对基极-发射极电压VBE的二阶温度项进行补偿, 从而有效地降低基准输出电压的温漂系数.基于0.5μm CMOS工艺库, 使用Spectre对电路进行仿真, 结果表明, 在电源电压5V, 温度范围为-35～+130℃时, 温漂系数为2.213ppm/℃, 低频时电源抑制比可达到-116d B, 在10k Hz时抑制比为-74d B.电源电压在1.6V～5V范围内变化时基准输出电压线性调整率为0.094％.

关键词：带隙基准源、温漂系数、二阶曲率补偿、电源抑制比

所属期刊栏目：28

资助基金：国家自然科学基金资助项目61601395

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：26-31