SRAM失效分析

摘要：

1 引言目前,能探测极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展,从而能表征集成电路内单个器件的电气特性.这篇文章将介绍如何用B1500A半导体器件分析仪进行这类测量,我们通过SRAM失效分析说明这项技术.

机标关键词：半导体器件、探针技术、失效分析、集成电路、电气特性、窄线宽、分析仪、探测、纳米、测量、表征

所属期刊栏目：26

分类号：TN3;TQ2

在线出版日期：2018-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：70-73