两种提高DRAM接口模块抗静电能力的方法

摘要：

随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电(ESD)冲击损坏.在动态随机存取存储器(DRAM)芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口(I/O)模块.本文针对DRAM接口模块被ESD损坏的两种情况,提出两种不同的改进方法,实现DRAM芯片抗ESD能力的大幅提高.

关键词：静电放电、接口、栅极接地NMOS、人体放电模型

所属期刊栏目：26

分类号：V22;U66

在线出版日期：2017-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：41-44,64