不同种硅穿孔的结构介绍及各自的优缺点分析

摘要：

当今快速增加的半导体器件互连正在驱使系统需求朝更小的尺寸,更高速的数据传输率,更佳的信号完整性以及更高的存储带宽发展,这也对系统的热特性提出了更高要求.与之而来的问题是,相较于单纯的缩小芯片以及传统的2D封装技术而言,这样的技术演进带来了成本的提高.Through-Silicon Via(TSV):硅穿孔技术提供了一个解决方案使得采用不同制程技术的逻辑芯片和存储芯片能够有机的结合在一个小型的有限的封装空间内.与此同时,在硅介质层铜柱凸块技术使用中,超高密度的信号布线以及巨量的铜柱凸块也在驱使封装的走线朝更小的线径和间隙发展.

机标关键词：孔的结构、技术演进、逻辑芯片、封装技术、信号完整性、半导体器件、系统需求、凸块、铜柱、解决方案、技术使用、存储芯片、存储带宽、超高密度、热特性、介质层、传输率、小型、线径、数据

所属期刊栏目：26

分类号：TP3;TK2

在线出版日期：2017-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61