基于联电55纳米超低功耗工艺物联网平台

摘要：

随着工艺技术的发展,55纳米工艺技术已逐渐成为低功耗芯片的主流工艺.作为集成电路最新技术代表,MCU已经成为集成电路设计领域的研究热点并得到越来越广泛的应用.对电池供电的便携式设备而言,除了要考虑性能和成本外,功耗问题已经成为一个重要的因素.本文选择对ARM Cortex-M3进行低功耗设计,ARM Cortex-M系列作为全球应用最广的CPU,其在低功耗方面的表现令人满意.1M字节的大容量嵌入式闪存可以储存所需的代码与数据.低功耗锁相环与振荡器IP使用于本平台.为降低芯片负载波动及电源干扰对系统输出的影响以提高芯片性能,一种无片外电容低压差线性稳压器IP也用于本平台.本文使用的12位SAR ADC原理简单、电路易实现,并且由于中等速度、中等分辨率和较低功耗而广泛应用于嵌入式系统中.本文的低功耗平台设计,不但降低了功耗,更获得了在超低功耗工艺节点的设计经验,利于向需要低功耗的微控制器与物联网应用推广.

关键词：超低功耗、物联网、片上系统

所属期刊栏目：25

分类号：TP3;TN7

在线出版日期：2016-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：26-34