基于ISSCC会议的毫米波频段功率放大器研究进展综述

摘要：

基于近十三年国际固态电路年度会议(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)上有关毫米波功率放大器(Power Amplifier,PA)的研究成果,分别从制作工艺、频率范围、电路结构和核心性能参数等方面对毫米波PA的研究进展进行了详细地分析.ISSCC报道的毫米波PA覆盖22 ～ 260 GHz频率范围,主要采用CMOS、BiCMOS SiGe和SOI CMOS等工艺制作而成,为了方便片上系统(System-on-Chip,SoC)单芯片集成,CMOS为最主流的制作工艺.MOS管的尺寸随摩尔定律逐渐下降,同时电源供电电压和MOS管的栅氧击穿电压也随之变小,导致毫米波PA的输出功率下降.片上功率合成器将多路PA的输出信号相加,增大毫米波PA的整体发射功率,应用广泛,目前毫米波PA的最高发射功率已达29 dBm.毫米波PA的效率决定了整体系统的功耗,采用F类PA结构,毫米波PA的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)可超过40％,最后还分析了多种线性度提高技术,使毫米波PA可满足复杂调制方式的通信系统.

关键词：毫米波、功率放大器、功率合成器

所属期刊栏目：25

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：17-23,27