基于FinFET的IC产品的设计和测试

摘要：

FinFET晶体管的兴起对IC物理设计和可测试性设计流程具有显著影响.引入FinFET意味着在IC设计流程中,CMOS晶体管必须建模为三维(3D)器件,同时,也带来了一系列的复杂性和不确定性.加州大学伯克利分校器件组的BSIM小组开发了一个名为BSIM-CMG(常规多栅极)的模型来表示FinFET中存在的电阻和电容.晶圆代工厂也很努力地提供准确的器件和寄生数据,同时保留先前工艺中使用的模型.

机标关键词：产品、设计流程、加州大学伯克利分校、器件、晶体管、小组开发、物理设计、模型、可测试性、不确定性、栅极、数据、三维、晶圆、建模、寄生、工艺、工厂、电阻、电容

所属期刊栏目：25

分类号：G64;TP3

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：37,80