抗辐射SRAM测试系统的设计与实现

摘要：

本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统.该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据.该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写功能正确与否.

关键词：SRAM、抗辐射、BW6416、FPGA

所属期刊栏目：25

分类号：TM3;G64

在线出版日期：2016-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55