深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响

摘要：

开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化.本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化.测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能.

机标关键词：深槽、邻近效应、器件性能、测试结构、测量结果、边缘、效应能、类结构、开发、间距、工艺

所属期刊栏目：24

分类号：TN3;TN1

在线出版日期：2015-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：35-36,74