一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法

摘要：

本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型.提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法.采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范围内得到很好的吻合.

关键词：RF SOI、MOS变容管、衬底模型、解析提取

所属期刊栏目：24

分类号：TN7;TN4

在线出版日期：2015-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64