40nm栅刻蚀工艺若干问题的优化与研究

摘要：

40nm栅刻蚀工艺面临很多的挑战,其中线宽粗糙度(Line width roughness,LWR)、关键尺寸负载效应、均匀性和物理形貌(Profile)尤为困难.本文着眼于LWR和物理形貌的优化和研究.实验结果显示BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)刻蚀气体、等离子体处理步骤的位置和工艺时间均对LWR造成影响;氧气和偏压功率实验的形貌结果说明不同栅刻蚀步骤中,即使同一个参数,对形貌的影响也并不一样,其作用原理在文中也作了详细分析.

关键词：栅、刻蚀、粗糙度、形貌

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在线出版日期：2015-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：65-70