高漏压低栅压条件下N型MOSFET热载流子注入效应研究

摘要：

本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应.在3.3V N型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5.5V和0.65V电压, 发现在电应力条件下的漏端电流Id随着施加应力的时间增加而增大.导致这个现象的主要机制是漏端附近氧化层中产生了带正电荷的缺陷.另外还发现,在栅极施加反方向电压,漏端电流Id并不能发生恢复.但是125℃烘烤8小时后,漏端电流Id会发生恢复,表明空穴在加热时得到足够的能量而从缺陷陷阱中跃迁出来.此外,本文在通过研究工艺改进来提升HCI的性能中,发现在合适的氮化硅退火温度和轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)掺杂浓度能有效的降低NMOSFET空穴注入.

关键词：热载流子注入、空穴、恢复、LDD、射频功率放大器

所属期刊栏目：24

在线出版日期：2015-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：62-66,87