铝锗键合技术及其在MEMS加速度计中的应用

摘要：

本文提出了一种可与CMOS工艺兼容的MEMS晶圆级铝锗键合工艺.根据铝锗共晶键合的特点,设计了键合工艺流程,并通过对键合工艺(包括键合温度、键合时间、键合压强)安排多次试验,获得了优化的铝锗共晶键合工艺条件,并成功应用于MEMS加速度计产品的制作.

关键词：真空封装、铝锗共晶键合、加速度计、MEMS、晶圆级

所属期刊栏目：23

分类号：TN4;TN3

在线出版日期：2014-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-69