双态应力薄膜整合的CMOS开关特性与可靠性研究

摘要：

本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入(hot-carrier Injection,HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半导体器件的开关特性.我们以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件(Core Device)工作电压是1.0V,外围器件(I/0device)工作电压是2.5V.实验结果显示,对比原有的基础工艺(Base Line),优化的SiN薄膜淀积工艺可以使NMOS的开关特性提高2-5％.核心NMOS的HCI寿命增加一倍,核心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI与基础工艺条件的结果比较没有明显的退化.

关键词：双态应力氮化硅薄膜、CMOS、开关特性、热载流子注入、负偏压温度不稳定性

所属期刊栏目：23

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2014-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-69