各种倒装凸点结构的电迁移可靠性及电流承载能力

摘要：

随着倒装凸点中的无铅化,以及I/O密度不断提高,凸点间距和大小不断减小,倒装凸点由于电迁移引起的失效越来越成为一个主要的可靠性问题.本文论述了对铜柱(Cu Pillar),高铅(high Pb),锡铅(SnPb),无铅(SnAg)等倒装凸点的电迁移研究结果.我们设计了一个特别的测试样品用于直接比较各种不同的凸点结构,并在三种不同的电流量和温度下测试,数据用于推导Black公式中的参数.已完成的19000小时的测试数据表明铜柱的可靠性在4种结构中最好,随后依次为SnAg,SnPb,High Pb.本文详述了测试数据,失效分析,以及在某些结构中Black公式中参数的估算.本文也提供了一个在实际使用条件下假定寿命和特定失效率时,预算倒装凸点的电流承载能力的方法.

关键词：电迁移、倒装、可靠性、微间距、电流承载能力

所属期刊栏目：23

分类号：TN406;TP311.52;TG111

在线出版日期：2014-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：50-57