一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计

摘要：

本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源.该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积.电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃.

关键词：低压带隙基准电压源、T型结构、CMOS、数学建模

所属期刊栏目：23

分类号：TN4;TN7

在线出版日期：2014-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：53-57