鳍式场效晶体管寄生提取的复杂性

摘要：

鳍式场效晶体管(简称finFET)的推出标志着CMOS晶体管首次被看作是真正的三维器件.由于源漏区以及与其周围连接的三维结构方式(包括本地互连和接触通孔),导致了复杂性和不确定性.
结果,器件建模不得不快速改进.UC Berkeley Device Group的BSIM Group开发出了一种名为BSIM-CMG(通用多栅极)的模型,用以表示存在于finFET内部的电阻和电容.为了帮助缓解有关向finFET工艺转变的担忧,晶圆厂做了非常大的努力来提供器件和寄生精度数据,以及保存用于先前工艺的使用模型.

机标关键词：晶体管、寄生、三维器件、使用模型、器件建模、结构方式、工艺、不确定性、转变、栅极、源漏、通用、通孔、数据、连接、开发、精度、晶圆、互连、管首

所属期刊栏目：23

分类号：TN4;TP3

在线出版日期：2014-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：25-26