10.3969/j.issn.1681-5289.2013.12.008
封装过程中装片后烘烤机理及改善方法探讨
本文探讨并验证了IC封装工序装片后烘烤过程的机理,结合烘烤后失重曲线的分析,重新设计了烘烤升温曲线(烘烤固化)、氮气保护(防止铜材氧化)、抽风(排出挥发物)等工艺参数.验证结果表明,重新设计后的烘烤过程,克服了装片胶挥发污染、铜材氧化这两个对产品可靠性影响最关键的不利因素,降低了装片烘烤工艺对产品可靠性的影响.
装片、烘烤、氧化、挥发物、装片胶
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F27;TN3
2014-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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