IDT推出业界最低功率DDR3—1866内存缓冲芯片

摘要：

IDT公司（IntegratedDeviceTechnology，Inc．）日前推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片，可在高达1866兆／秒（MT／s）的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块（LRDIMM）的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。

关键词：IDT公司、内存缓冲、低功率、芯片、高数据传输速率、内存模块、内存容量、内存接口

分类号：TN915.05

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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