宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

摘要：

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升，

关键词：半导体制造、嵌入式闪存、平台、工艺、漏电、微米、国内、宏

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：3-3