中芯国际与灿芯半导体40LL双核ARM Cortex-A9测试达1．3GHz
中芯国际和灿芯半导体近日宣布采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM CortexTM--A9MPCoreTM双核芯片测试结果达到1．3GHz。该测试芯片基于ARMCortex—A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。
双核处理器、芯片测试、ARM、半导体、国际、工艺、漏电、纳米
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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双核处理器、芯片测试、ARM、半导体、国际、工艺、漏电、纳米
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2012-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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