首款4G基带芯片合肥问世
日前，由合肥东芯通信公司承担的合芜蚌试验区重大科技项目取得重大成果，自主研发出国内4GTD-LTE基带芯片。该芯片从研发到流片仅用了26个月时间，一次流片成功，并取得测试成功。该款芯片硅片面积为40mm^2，采用65nm工艺，封装后芯片尺寸为11×11mm^2，在同等工艺条件下面积最小，
基带芯片、合肥、4G、65nm工艺、自主研发、科技项目、通信公司、芯片尺寸
TN929.533
2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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基带芯片、合肥、4G、65nm工艺、自主研发、科技项目、通信公司、芯片尺寸
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2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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