中芯与灿芯40LL ARM Cortex—A9成功流片

摘要：

灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际及ARM联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARMR CortexTM—A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。

关键词：ARM、半导体、国际、漏电、芯片

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：2-3