国内首款6500VIGBT芯片研制取得突破性成果

摘要：

上海华虹NEC电子有限公司近日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所通力合作，开发的6500VTrenchFsIGBT（沟道类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

关键词：上海华虹NEC电子有限公司、芯片、国内、突破性、绝缘栅双极晶体管、制取、功率IGBT、合作伙伴

所属期刊栏目：20

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：3-3