一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法

摘要：

化学机械研磨(CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响,所以必须在设计时就进行慎重的考虑.众所周知,插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法,通常基于规则的方法广泛用于65纳米及以上工艺中,但是该技术在比较先进制程中显示不出其优越性.本文阐述了一种基于模型的冗余金属填充方法,它是根据设计版图中的周围环境用计算机算法来填充.这一方法的优点有以下几方面:在设计规则检查(DRC)中更少的违规数量,更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量,更小的密度和周长梯度.在使用40纳米工艺的晶圆上,基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当,但是比公开的其它填充方法要好.

关键词：化学机械研磨、可制造性设计、冗余图形填充

所属期刊栏目：20

分类号：TP3;G25

在线出版日期：2011-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：84-87,93