基于2μm GaAs HBT工艺的E类功率放大器设计

摘要：

本文采用Win公司2μm GaAs HBT工艺设计一种高效率射频E类功率放大器.设计中采用了电压偏置的E类功放结构,通过负载牵引(Load-Pull)技术对放大器的效率、增益和输出功率进行折衷和优化设计.仿真结果表明该放大器在5V电源电压下,工作频段700MHz～1100MHz内功率附加效率(PAE)大于50%,增益15dB,输出功率大于20dBm.芯片面积为1.375mm*0.79ram.

关键词：E类功率放大器、异质结晶体管、负载牵引

所属期刊栏目：20

分类号：TN7;TN3

资助基金：中国博士后基金项目20090461049,20090461048;江苏省博士后资助计划0901022C

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-59,78