3D IC受热载荷作用下的数值模拟

摘要：

针对基于硅通孔技术的3D IC在工作过程中的受热问题,利用热弹性力学理论建立了三维有限元数值模拟分析模型,对结构进行了热分析,同时探讨了器件由此产生的热应力.计算结果表明,由芯片到底面的热通路为散热的主要通道,其它表面的对流条件对热场分布影响不大;芯片与通孔接触面的边角处有应力集中,在热载荷的长期、交变作用下容易发生开裂、失效.

关键词：3D、热应力、温度场、有限元、硅通孔

所属期刊栏目：20

分类号：TP391.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目90607003

在线出版日期：2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-47,55