一种极低功耗的CMOS带隙基准源

摘要：

随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展,低功耗技术变得越来越重要.本文采用了0.18um的标准CMOS工艺来,设计了一种无电阻、工作在亚阈值区的低功耗、小面积的CMOS电压基准源.这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中.这个电路的电源电流大约为1 50nA,可以在1.5V～3.3V之间的电源电压下工作,基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V.当电源电压为1.5V,室温下带隙基准电路的输出电压为1.11 26V,1 00HE频率下的电源抑制比为-66dB,当温度在-20℃与80℃之间变化时,输出电压的温度系数是5 5ppm/℃.整个带隙基准的芯片面积是0.011 mm2.

关键词：带隙基准、低功耗、亚阈值、SoC

所属期刊栏目：20

分类号：TN4;TP3

资助基金：国家自然科学基金60906010

在线出版日期：2012-02-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-30,55