基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化

摘要：

在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻.本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6 μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40 V LDMOS器件.通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40%,且比导通电阻降低了66.12%.

关键词：LDMOS、STI工艺、高压器件

所属期刊栏目：19

分类号：R13;TN3

在线出版日期：2011-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：46-52