深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究

摘要：

随着摩尔定律的发展,90/65nm工艺下的大规模芯片越来越多,后端物理设计变得更加复杂,遇到了很多新问题,如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等,签收的标准也发生了变化.因此必须改进物理设计方法学,适应新的情况,来取得流片成功.

关键词：90/65nm、后端设计、集成度、层次化设计、串扰噪声、多模式-多角落、泄漏功耗、动态电压降、签收

所属期刊栏目：19

分类号：TP3;TN4

在线出版日期：2010-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：30-35,49