0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计

摘要：

采用SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10 Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL.电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10 Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5 Gb/s.电路采用1.8 V和3.5 V电压供电,直流总功耗为164 mW.

关键词：VCSEL、电压驱动器、RC负反馈、电容耦合电流放大器

分类号：TN4;TP3

资助基金：国家高技术研究发展计划,40Gb/s甚短距离并行光传输实验系统2006AA01Z239;高速芯片之间光互连技术与试验平台2007AA01Z2a5

在线出版日期：2009-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38