铜丝键合工艺研究

摘要：

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中.随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展.因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料.本文首先讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效.本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义.

关键词：铜丝、键合、弹坑、工艺方案

所属期刊栏目：18

分类号：TN3;TG1

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：61-65