应用于WSN射频前端带隙基准设计

摘要：

本文给出一种应用于无线传感网(Wireless Sensor Network,WSN)射频前端芯片低压差稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)模块,采用SMIC 0.18 μm MM/RF CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源的设计.带隙基准电压源采用输出电压可调结构和高阶温度补偿技术,在Cadence Spectre仿真环境下的仿真结果表明它满足射频前端的系统要求,静态工作电流约为30 μ A,电源抑制比可达到-72dB,在-40℃至85℃范围内温度系数约为6×10-6/℃.

关键词：无线传感网、LDO、带隙基准、温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：18

分类号：TN7;P22

资助基金：国家863计划目标导向类项目2007AA01ZZA7资助课题

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-43