NBTI的研究进展和改善途径

摘要：

本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型),指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响.最后总结了遏制NBTI效应的研究成果.

关键词：负偏压温度不稳定性、反应-扩散模型、电荷俘获-脱离模型、界面陷阱电荷

所属期刊栏目：18

分类号：R57;TB3

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62