基于标准CMOS工艺的一款宽带限幅放大器芯片设计

摘要：

采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺来设计开发一款适用于SDH STM-16的光接收机前端限幅放大器芯片.该限幅放大器的设计采用了电容中和技术来实现带宽的扩展,可满足2.5Gbps速率要求,芯片电路拥有信号丢失检测和自动静噪功能.芯片版图的参数提取仿真表明:芯片最小输入动态范围可达2mV,500负载上的双端输出摆幅约为1400mVpp,在3.3V供电下静态功耗仅为66mW,动态功耗为105mW,有实际推广价值.

关键词：限幅放大器、电容中和、CMOS工艺

所属期刊栏目：18

分类号：TN4;TN7

资助基金：国家教育部新世纪人才计划项目、国家自然科学基金项目和福建省科技项目的联合资助

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：29-33,48