不断发展中的IGBT技术概述

摘要：

概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等.

关键词：半导体元器件、晶闸管、芯片/沟槽栅、绝缘栅双极晶体管

所属期刊栏目：18

分类号：TN3;TM7

资助基金：国家自然科学基金资助项目60676049

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28